ترانزیستور ماسفت P260N
این ترانزیستور ماسفت یک ماسفت قدرت می باشد که قابلیت سویچ جریان های بالا تا 46 آمپر را دارد. کاربرد ترانزیستور ماسفت ها در منابع تغذیه سوئیچینگ، UPS ها و کاربردهایی است که لازم است جریان های زیاد سوئیچ شوند.
متداولترین FET با گیت ایزوله شده است. که در کاربردهای مختلفی به کار میرود. ترانزیستور اثر میدانی نیمهرسانای اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET) است. IGFET یا MOSFET یک ترانزیستور اثر میدان کنترل شده با ولتاژ است.با JFET تفاوت دارد. این تفاوت، یک الکترود گیت «اکسید فلز» است که از نظر الکتریکی نسبت به نیمههادی اصلی کانال N یا کانال P با یک لایه بسیار نازک از ماده عایق کننده (معمولاً اکسید سیلیکون) جدا شده است.
ایزولاسیون گیت کنترل سبب میشود مقاومت ورودی ماسفت بسیار بزرگ و در محدوده مگا اهم باشد.
مشخصات فنی:
- ولتاژ Gate-Source : برابر با 20±
- توان: 280 وات
- محدوده دمای کاری: 55- تا 150+ درجه سانتی گراد
- زمان صعود( tr ) :120 نانوثانیه
- فرمت پایه ها: TO-247AC
- زمان نشست(tf) : 94 نانوثانیه
- تعداد پایهها: 3
- نوع ماسفت: n-channel
- جریان Drain : برابر با 46 آمپر
- پارت نامبر: IRFP260N
- ولتاژ Drain Source: برابر با 200 ولت
- ابعاد: (طول: 15.87 میلی متر، عرض: 5.31 میلی متر، ارتفاع: 20.82 میلی متر)
از آنجایی که ترمینال گیت از نظر الکتریکی از کانال اصلی گذر جریان بین درین و سورس جدا است. مانند JFET هیچ جریانی از گیت عبور نمیکند. ماسفت نیز مانند یک مقاومت کنترل شده با ولتاژ عمل میکند. در آن، جریان گذرنده از کانال اصلی، متناسب با ولتاژ ورودی است. همچنین، مشابه JFET، ماسفتها نیز مقاومت ورودی بسیار بزرگی دارند. میتوانند به سادگی مقادیر زیادی از بار استاتیکی را جمع کنند. بنابراین، اگر ماسفت به دقت محافظت نشود یا به درستی مورد استفاده قرار نگیرد، آسیب خواهد دید.
فایل پی دی اف: ترانزیستور | Power MOSFET Transistor IRFP260N
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.